国开《光伏技术与应用概论》第二次形成性考核任务答案

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1. （），硅太阳电池开始在地面应用。: 20世纪70年代末; 20世纪80年代初; 1958年; 20世纪70年代初
2. （）是晶体中最常见的一类晶体缺陷。: 载流子迁移率; 禁带宽度; 电阻率; 位错
3. （）是生产单晶硅和铸造多晶硅的主要原料。: 冶金硅; 硅晶; 高纯多晶硅; 单晶硅
4. （）太阳电池在现阶段的大规模应用和工业生产中占主导地位。: 硅晶; 高纯多晶硅; 单晶硅; 多晶硅
5. 1954年，第一块实用的单晶硅光电池效率为（）。: 8%; 6%; 7%; 5%
6. 澳大利亚新南威尔士大学的格林教授采用激光刻槽埋藏栅线等新技术将高纯化硅晶太阳电池的转换效率提高到（）。: 25%; 17%; 21%; 16%
7. 薄膜电池材料目前不包括（）。: 非晶硅薄膜; CuInSe2（CuInS2）薄膜; 单晶硅薄膜; 多晶硅（微晶硅）薄膜
8. 当硅中掺入III族元素时，如（）等，就会形成P型材料。: 锑; 磷; 砷; 硼
9. 导电类型是（）所专有的一个概念。: 金属材料; 绝缘体; 导体; 半导体
10. 电阻率与（）反映半导体材料的导电能力。: 载流子迁移率; 禁带宽度; 位错密度; 非平衡载流子寿命
11. 光电效应是利用光照在（）上产生的。: 陶瓷器件; 半导体器件; 金属器件; 绝缘体器件
12. 光电转换实现的基本装置是（）。: 太阳电池; 硅片; 硅料; 太阳电池方阵
13. 光伏产业链的中游环节包括（）。: 应用系统; 电池片，电池组件; 硅料，硅片; 硅片，电池片，电池组件
14. 光伏效应的英文简称是（）。: PV; PE; PT; PC
15. 目前（）已成为应用最多的一种半导体材料。: 锗; 硼; 硅; 硒
16. 太阳电池是利用（）制成的。: 光热效应; S-W效应; 电光效应; 光电效应
17. 用（）制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作光伏器件和大功率器件。: 硒; 硼; 锗; 硅
18. 用于地面已批量生产的太阳电池材料主要有单晶硅、多晶硅与（）。: InP; GaAs; 非晶硅薄膜; CdTe薄膜
19. 直拉单晶硅和（）应用最为广泛，占太阳能光电材料的90%左右。: 铸造多晶硅; 薄膜非晶硅; 带状多晶硅; 薄膜多晶硅
20. 铸造多晶硅太阳电池的光电转换效率要比直拉单晶硅太阳电池低（）。: 4%～5%; 3%～4%; 2%～3%; 1%～2%
21. 20世纪70年代初，（）开始引人到电池的制造工艺中，太阳电池转换效率有了较大提高。: 表面织构化; 背表面场; 细栅金属化; 浅结表面扩散
22. 20世纪80年代初，主要把（）引入到电池的制造工艺中。: 降低接触复合效应; 改进陷光效应; 后处理提高载流子寿命; 表面钝化技术
23. 半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为（）。: 化合物半导体; 无定形半导体材料; 元素半导体; 有机增导体材料
24. 半导体材料的电阻率介于（）和（）之间。: 绝缘体; 金属; 非绝缘体; 非金属
25. 薄膜电池材料包括（）。: 多晶硅（微晶硅）薄膜; CdS薄膜; 非晶硅薄膜; CuInSe2（CuInS2）薄膜; CdTe
26. 常用的半导体材料的特性参数有（）。: 载流子迁移率; 非平衡载流子寿命; 禁带宽度; 电阻率; 位错密度
27. 当硅中掺入V族元素时，如（）等，就会形成N型材料。: 硼; 锑; 砷; 磷
28. 对于太阳电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的（）和适中的（）。: 载流子迁移率; 禁带宽度; 电阻率; 非平衡载流子寿命; 位错密度
29. 高纯多晶硅是（）的主要原料。: 带状多晶硅; 直拉单晶硅; 区熔单晶硅; 铸造多晶硅
30. 根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的（）和（）。: 位错密度; 电阻率; 禁带宽度; 载流子迁移率; 非平衡载流子寿命
31. 光伏产业链包括（）环节。: 电池片; 应用系统; 电池组件; 硅片; 硅料
32. 硅晶材料包括（）。: 铸造多晶硅; 直拉单晶硅; 带状多晶硅; 高纯多晶硅
33. 金属硅通过（）等技术，提纯为高纯的多晶硅。: 二氯二氢硅还原法; 硅烷热分解法; 四氯化硅氢还原法; 三氯氢硅还原法
34. 近年来，一些新型高效电池不断问世，主要包括（）。: 用化学束外延（CBE）技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池; 硒化铜铟（CuInSe-2,CIS）薄膜太阳电池; 大面积光伏纳米电池; 硅-硅串联结构太阳电池
35. 近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术，主要有（）。: 激光刻槽埋藏栅线技术; 高效背反射器技术; 光吸收技术; 绒面技术; 单双层减反射膜; 背点接触电极克服表面栅线遮光问题
36. 可做太阳电池材料的材料有（）。: GaAs半导体材料; 薄膜电池材料; 硅晶材料; 其他类型太阳电池材料
37. 通过（）等一系列的工序在石英坩埚中将高纯的熔硅拉制成单晶硅硅锭，即利用切氏法制备单晶硅。: 等径; 收尾; 缩颈; 引晶; 放肩
38. 限制单晶硅太阳电池转换效率的主要技术障碍有（）。: 光传导损失; 表面光反射损失; 内部复合损失; 电池表面栅线遮光影响; 表面复合损失
39. 铸造多晶硅在（）方面不如单晶硅。: 电学性能; 力学性质; 光学性质; 热学性质
40. 1954年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。
41. 20世纪70年代末硅太阳电池开始在地面应用。
42. 当前影响光伏电池大规模应用的主要障碍是它的制造成本太高。
43. 对于非晶态半导体，位错也是反映其晶格完整性的特性参数。
44. 高纯多晶硅是生产单晶硅和铸造多晶硅的主要原料。
45. 光伏材料又称太阳电池材料，只有半导体材料具有这种功能。
46. 硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用。
47. 金属的电阻率很高，绝缘体的电阻率非常小，半导体材料的电阻率介于两者之间。
48. 禁带宽度越大，晶体管正常工作的高温限也越高。
49. 晶体管的工作温度高温限决定于载流子迁移率的大小。
50. 太阳能发电是一种新兴的可再生能源利用方式。
51. 位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。
52. 应用系统属于光伏产业链上游。
53. 用载流子迁移率大的材料制成的晶体管有较好的频率响应。
54. 由于生产规模的扩大，生产工艺的改进，晶体硅太阳电池组件的制造成本2010年有望降至1美元/Wp。
55. 在半导体中不仅有带负电荷的电子参与导电，而且还有带正电荷的空穴参与导电。
56. 载流子即半导体中参加导电的电子和空穴。
57. 主要靠电子导电的称为P型半导体。
58. 主要靠空穴导电的称为N型半导体。
59. 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。
60. 将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1）. 多晶硅
{A:11.83 %; B:12%; C:20.4%}
2）. 非晶硅单结
{A:11.83 %; B:12%; C:20.4%}
3）. 非晶硅多结
{A:11.83 %; B:12%; C:20.4%}
61. 将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1）. 禁带宽度
{A:反映材料的导电能力; B:
反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C:
反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}
2）. 电阻率、载流子迁移率
{A:反映材料的导电能力; B:
反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性 ; C:
反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量 }
3）. 非平衡载流子寿命
{A:反映材料的导电能力; B:
反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性 ; C:
反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量 }
62. 将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1）. 禁带宽度
{A:反映材料的导电能力; B:反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C:反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}
2）. 电阻率、载流子迁移率
{A:反映材料的导电能力; B:反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C:反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}
3）. 非平衡载流子寿命
{A:反映材料的导电能力; B:反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C:反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}
63. 将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1）. 元素半导体
{A:砷化镓; B:氧化物玻璃; C:硅}
2）. 化合物半导体
{A:砷化镓; B:氧化物玻璃; C:硅}
3）. 无定形半导体材料
{A:砷化镓; B:氧化物玻璃; C:硅}
64. 将下列硅片几何尺寸参数一一对应。
1）. THK
{A:厚度; B:总厚度偏差; C:翘曲度}
2）. TTV
{A:厚度; B:总厚度偏差; C:翘曲度}
3）. Warp
{A:厚度; B:总厚度偏差; C:翘曲度}
65. 将下列硅太阳电池发展历程一一对应。
1）. 1958年
{A:硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B:把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C:把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}
2）. 20世纪70年代初
{A:硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B:把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C:把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}
3）. 20世纪80年代初
{A:硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B:把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C:把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}
66. 将下列事件与时间关系等一一对应。
1）. 1839年
{A:法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应; B:在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应; C:贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6％的单晶硅光电池}
2）. 1876年
{A:法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应; B:在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应; C:贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6％的单晶硅光电池}
3）. 1954年
{A:法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应; B:在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应; C:贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6％的单晶硅光电池}
67. 将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1）. 单晶硅太阳电池
{A:12%; B:20.4%; C:25%}
2）. 多晶硅太阳电池
{A:12%; B:20.4%; C:25%}
3）. 非晶硅单结太阳电池
{A:12%; B:20.4%; C:25%}
68. 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因一一对应。
1）. 断线
{A:切割工艺出现异常; B:硅棒对接位置不好; C:加工好的硅片在空气中停留时间过长}
2）. 跳线
{A:切割工艺出现异常; B:硅棒对接位置不好; C:加工好的硅片在空气中停留时间过长}
3）. 花片
{A:切割工艺出现异常; B:硅棒对接位置不好; C:加工好的硅片在空气中停留时间过长}
69. 将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因一一对应。
1）. 反射遮荫等光学损失
{A:P/N结区复合; B:封装材料透光率; C:逆变器等电器损耗}
2）. 载流子复合损失
{A:P/N结区复合; B:封装材料透光率; C:逆变器等电器损耗}
3）. 连接转换等电学损失
{A:P/N结区复合; B:封装材料透光率; C:逆变器等电器损耗}"