国开助手《光伏电池原理与工艺》第四次形考任务答案

1. （）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。
A.半导体与半导体
B.金属与半导体
C.金属与金属
D.金属与绝缘体
2. 1973年GaAs三层结构异质结太阳电池，实验室效率达到（），超过了硅太阳电池。
A.22%
B.42%
C.32%
D.12%
3. MIS光伏电池是什么结构（）。
A.金属-绝缘层-半导体结构
B.金属-绝缘层-金属结构
C.半导体-绝缘层-半导体结构
D.绝缘层-金属-半导体结构
4. 半导体硅中，n+/p型硅太阳电池通常用（）为掺杂元素。
A.磷
B.硼
C.砷
D.钠
5. 单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是（）。
A.浇铸法
B.直熔法
C.区熔法
D.直拉法
6. 非晶硅太阳电池的哪一方面限制了非晶硅太阳电池的应用（）。
A.工艺复杂
B.大面积均匀性的困难
C.光致衰减效应
D.陷光效应
7. 硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为（）的材料，以获得高的转换效率。
A.0.1至50·cm
B.10至200Ω·cm
C.零点几至2Ω·cm
D.小于0.01
8. 具有整流效应（单向导电性）的金属和（）接触，称为肖特基结。
A.半导体
B.金属
C.绝缘体
D.以上均可
9. 硫化亚铜-硫化镉太阳电池的缺点主要是（）。
A.工艺复杂
B.大面积均匀性的困难，效率低
C.造价高
D.不利于大规模自动化生产
10. 目前，在实验室中薄膜太阳电池的光电转换效率已经超过了（），在国际上已经有模的工业生产。
A.21.90%
B.29%
C.16%
D.40%
11. 目前，制备薄膜的主要方法中（）是一种高效、低成本、适合大面积生产的方法。
A.化学沉积法
B.电沉积法（ED）
C.喷涂法（SP）
D.物理气相沉积法（PVD）
12. 目前产业化太阳电池中,所占比例最大的是（）。
A.MIS光伏电池
B.硅基太阳电池
C.碲化镉太阳电池（a-Si）
D.铜铟镓硒太阳电池
13. 目前已产业化的薄膜光伏电池材料有（）。
A.铜铟镓硒太阳电池
B.非晶硅薄膜电池（a-Si）
C.碲化镉太阳电池
D.以上三种
14. 太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。
A.200～300μm
B.20～30μm
C.200～300mm
D.20～30cm
15. 铜铟镓硒薄膜太阳电池走向大规模的产业化最大的困难是（）
A.性能不稳定
B.光电转换效率低
C.复杂的多层结构和敏感的元素配比，对工艺和设备的要求非常严格
D.其成本高、抗辐射能力弱
16. 下列不是半导体异质结太阳电池的是（）。
A.硫化亚铜-硫化镉太阳电池
B.碲化镉太阳电池
C.砷化镓太阳电池
D.非晶硅薄膜太阳电池
17. 下列哪个不是染料敏化太阳电池（DSSC）的优点（）
A.结构简单
B.光电转换效率高
C.对环境无污染
D.成本低廉、易于制造
18. 要提高微晶硅太阳电池性能，核心技术是（），可使光电转换效率超过20%。
A.陷光技术
B.掺杂工艺
C.大面积均匀性技术
D.抗光致衰减技术
19. 因转化率低，而且存在光致衰退，因此在太阳能发电市场多用于功率小的小型电子产品市场。如电子计算器、玩具等的太阳能电池是（）。
A.单晶硅电池
B.多晶硅太阳电池
C.铜铟镓硒太阳电池
D.非晶硅太阳电池
20. 在国际光伏行业得到了广泛应用的铸造多晶硅的工艺是（）。
A.浇铸法
B.直熔法
C.区熔法
D.直拉法

21. （）有何特点的金属-半导体接触称为欧姆接触，欧姆结。
A.很小的电阻
B.很大的电阻
C.单向导电性
D.具有线性和对称的电流-电压关系
22. MIS结构实际上是一个（）。
A.金属-绝缘层-半导体
B.金属
C.电阻
D.电容
23. 薄膜太阳电池采用的化学沉积法制膜的优点是（）。
A.高效
B.低成本
C.环保
D.适合大面积生产
24. 单晶硅一般采用哪种溶液对进行表面腐蚀制绒（）。
A.氢氧化锂
B.氢氧化钠
C.硝酸
D.氢氧化钾
25. 电池的优缺点有（）。
A.可在不同的衬底上制作，非常适合于大规模自动化生产
B.电池生产成本低廉。
C.效率低，缺少硅电池那种固有的稳定性
D.系统其他部分的成本高
26. 多晶硅可采用哪种溶液对进行表面腐蚀制绒（）。
A.NaOH
B.HN03、HF、H20
C.KOH
D.CH3CH2OH
27. 非晶硅薄膜太阳电池与晶体硅太阳电池相比，具有什么优点（）。
A.光致衰减低
B.重量轻
C.耗能少
D.工艺简单、成本低
28. 硅基电池包括（）。
A.单晶硅
B.非晶硅电池
C.铜铟镓硒薄膜电池
D.多晶硅
29. 金属与半导体接触能形成（）。
A.整流特性接触
B.良好的欧姆接触
C.半导体
D.绝缘体
30. 染料敏化太阳电池主要由组成（）。
A.纳米多孔薄膜
B.染料敏化剂
C.电解质
D.对电极
31. 实际的化合物半导体电池结构之所以考虑异质结，出于以下（）因素的考虑。
A.采用异质结构来降低表面复合速率
B.一些半导体材料存在结构自补偿，使成结困难，需要采用异质结构
C.异质结可以充分利用太阳光
D.成本低
32. 铜铟镓硒薄膜太阳电池受到全世界广泛研究的原因是（）。
A.性能稳定
B.成本低
C.抗辐射能力强
D.光电转换效率高
33. 王水几乎能溶解所有不活泼金属如铜、银以及金、铂等。具有极强的（）。
A.强碱性
B.氧化性
C.腐蚀性
D.强酸性
34. 微晶硅太阳电池的特点（）。
A.不存在光致衰减现象，具有较好的稳定性
B.光谱响应范围窄
C.低吸收系数
D.工艺简单、成本低
35. 下面关于硅太阳电池的形状、尺寸、厚度，说法正确的是（）。
A.125×125mm2
B.156×156mm2
C.基体厚度为200?m左右
D.球形
36. 硝酸（HNO3）不能溶解的有（）。
A.金
B.铂
C.铜
D.铁
37. 肖特基二极管（SBD）比一般的半导体二极管特性好在（）。
A.正向导通电压高
B.高频性能好，开关速度快
C.正向导通电压低
D.低频性能好，开关速度快
38. 肖特基结是（）。
A.金属与半导体接触
B.有整流效应的金属和半导体接触
C.金属与金属接触
D.单向导电性的金属和半导体接触
39. 直拉单晶硅的制备工艺一般包括（）。
A.晶硅的装料和熔化
B.种晶
C.引细颈、放肩、等径
D.收尾
40. 铸造多晶硅主要的工艺有（）。
A.直熔法
B.浇铸法
C.直拉法
D.区熔法

41. II号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含量为37%的浓盐酸混合而成。
42. N型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。
43. P+/n硅太阳电池，常用磷或砷作掺杂元素。
44. POCl3是无色透明无气味的无毒液体。
45. P型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。
46. 采用同一种材料的P型和N型组成的P-N结，称为同质结。
47. 多晶硅的制备工艺一般包括:多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、放肩、等径和收尾。
48. 多晶硅一般采用酸溶液对进行表面腐蚀制绒。
49. 非晶硅薄膜太阳电池可以制备在玻璃、不锈钢、陶瓷等衬底上。
50. 非晶硅薄膜太阳电池一般被设计成pin结构。
51. 非晶硅太阳电池的光致衰减效应限制了非晶硅太阳电池的应用。
52. 硅片清洗必须按照酒精-水-甲苯-丙酮的次序清洗，才能除去有机物及有机溶剂分子。
53. 金属-绝缘层-半导体（MIS）结构实际上是一个电容。
54. 太阳电池工艺成本低，大面积均匀性好，可以自动化生产。
55. 微晶硅同非晶硅一样，都是间接吸收，具有低吸收系数。
56. 线切割线切割机可以同时切割多根单晶硅锭，损耗小，表面损伤也小。
57. 异质结GaAs太阳电池B比同质结GaAs太阳电池光电转换效率高。
58. 用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。
59. 制备非晶硅所要求的条件原则与晶体硅相比要高得多。
60. 种晶时，单晶籽晶缓缓下降，距液面数毫米处暂停片刻是为了使粒晶预热以减少籽晶与熔硅的温度差。

61. 单晶硅的制绒工艺复杂，请将以下工艺时间一一对应。
（1） 腐蚀时间 一一[[2]]
（2） 加无水乙醇 的间隔 一一[[1]]
（3） 用HF溶液浸泡 一一[[3]]
E. [[1]] -> {A 10～20min。 / B 40～60mim / C 3～5min}
62. 将下列等效情况一一对应。
（1） 欧姆接触 一一[[3]]
（2） 金属-绝缘层-半导体结构 一一[[1]]
（3） 空穴 一一[[2]]
E. [[1]] -> {A 等效电容 / B 等效为一个带正电荷的电子 / C 等效成一个小电阻}
63. 将下列溶剂名称一一对应。
（1）王水 一一[[2]]
（2） 硝酸 一一[[3]]
（3） 甲苯 一一[[1]]
E. [[1]] -> {A 有机溶剂 / B混合溶剂 / C无机溶剂}
64. 将下列生产工艺与主要特点一一对应。
（1） 区熔单晶硅 一一[[1]]
（2） 直拉单晶硅的制备工艺 一一[[3]]
（3） 直熔法生长的铸造多晶硅 一一[[2]]
E. [[1]] -> {A 利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒 / B 每一炉需要消耗一支坩埚 / C 有种晶、引细颈、放肩过程}
65. 将下列太阳电池尺寸一一对应。
（1）单晶硅片的厚度 一一[[3]]
（2） 硅太阳电池的尺寸 一一[[1]]
（3） 多晶硅铸锭的尺寸 一一[[2]]
E. [[1]] -> {A 125 ×125mm? / B 700mm × 700 mm×300 mm / C 200～300 μm}
66. 将下列太阳电池概念一一对应。
（1）第一代电池 一一[[2]]
（2） 第二代电池 一一[[3]]
（3） 第三代电池 一一[[1]]
E. [[1]] -> {A 聚光电池 / B 单晶硅太阳电池 / C 非晶硅薄膜太阳电池}
67. 将下列太阳电池特性一一对应。
（1）同质结 一一[[3]]
（2） 异质结 一一[[1]]
（3） PIN结 一一[[2]]
E. [[1]] -> {A碲化镉薄膜太阳电池 / B 非晶硅太阳电池 / C 多晶硅太阳电池}
68. 将下列太阳电池与类型一一对应。
（1）砷化镓（GaAs）太阳电池 一一[[1]]
（2） CdS太阳电池 一一[[2]]
（3） Cu2S/CdS太阳电池。 一一[[3]]
E. [[1]] -> {A Ⅲ-Ⅴ族化合物 / B Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 / C 化合物半导体太阳电池}
69. 将下列太阳电池与其关键词一一对应。
（1） 非晶硅 一一[[2]]
（2） 微晶硅 一一[[1]]
（3） 铜铟镓硒 一一[[3]]
E. [[1]] -> {A 陷光效应 / B 光致衰减效应 / C 敏感的元素配比}
70. 将下列太阳电池与其缺陷一一对应。
（1）铜铟镓硒 一一[[2]]
（2） 非晶硅 一一[[2]]
（3） Cu2S/CdS 一一[[1]]
E. [[1]] -> {A 效率低，稳定性差 / B 严重的光致衰减效应 / C 复杂结构和敏感的元素配比}
71. 将下列太阳电池与其原理一一对应。
（1） 肖特基势垒太阳电池 一一[[2]]
（2） 反型层太阳电池 一一[[1]]
（3） MIS 光伏电池 一一[[3]]
E. [[1]] -> {A 利用热氧化硅表面产生的反型层 / B 利用金属/半导体界面上的肖特基势垒 / C 金属一绝缘层—半导体结构}
72. 将下列太阳电池与其主要特征一一对应。
（1）Cu2S/CdS 一一[[2]]
（2）微晶硅 一一[[1]]
（3）染料敏化 一一[[3]]
E. [[1]] -> {A 无光致衰减现象，稳定性光谱响应范围 / B 制造工艺简单、造价低廉 / C 结构简单、对环境无污染}
73. 将下列太阳电池与研制年份一一对应。
（1）同质结GaAs太阳电池 一一[[2]]
（2） 染料敏化太阳电池 一一[[3]]
（3） GaAs三层结构异质结太阳电池 一一[[1]]
E. [[1]] -> {A 1973年 / B 1956年 / C 1991年}
74. 下列扩散方式一一对应。
（1）POCl3扩散 一一[[2]]
（2） 液态源硼扩散 一一[[1]]
（3） 固态氮化硼扩散 一一[[3]]
E. [[1]] -> {A使预沉积在硅片表面的杂质进行再分布。 / B用气体携带液态扩散源的扩散方式 / C采用片状氮化硼作源用氮气保护进行扩散}
75. I号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含量为25%的浓氨水混合而成体积所占比例对应为。
（1）去离子水 一一 [[1]]
（2） 过氧化氢 一一 [[2]]
（3） 氨水 一一 [[3]]
E. [[1]] -> {A 5/8 / B 2/8 / C 1/8}